[19a-Z05-1~10] 3.14 Optical control devices and optical fibers

[19a-Z05-8] Fabrication of low-loss ring resonators using thick hot-wire CVD SiN films

〇(M2)Koichiro Handa¹, Shota Sota¹, Kentaro Furusawa², Kanna Aoki², Norihiko Sekine², Ryoto Yanagisawa³, Satomi Ishida³, Masahiro Nomura³, Satoshi Iwamoto³, Takasumi Tanabe¹ (1.Keio Univ., 2.NICT, 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:ring resonator, Silicon nitride, low-temperature deposition

窒化シリコン (SiN) はCMOSコンパチブルな材料かつ可視光から近赤外線波長領域において透明であり，広帯域かつ低損失な光集積デバイスを作製する上で魅力的なプラットフォームである．しかしSiNは光通信波長帯において正常分散を呈するため，異常分散を得るには，シリカをクラッドとして膜厚700 nm以上が必要となる．本報告では低温堆積法であるhot-wire CVD法で成膜した厚膜SiN膜 (750 nm) を用いて光リング共振器を作製し，評価したので報告する．