[19a-Z06-1~9] 3.6 Ultrashort-pulse and high-intensity lasers

[19a-Z06-8] The effect on coherent phonon excitation and relaxation processes by ion irradiation induced defects

〇(M2)Takuto Ichikawa¹, Yuta Saito², Muneaki Hase¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.AIST D-Tech)

Keywords:coherent phonon, gallium phosphide, focused ion beam

フェムト秒レーザーパルスを固体に照射すると，位相が揃った格子振動（コヒーレントフォノン: CP）が励起でき，物性マーカーとして多様な系への展開が進められている．我々は，半導体GaPへの集束イオンビーム(FIB)照射によりCPの緩和時間が延伸することを発見した．その結果はFIB照射により形成された点欠陥によるCPの散乱だけでなく，欠陥準位を介した励起過程も考慮することで説明され得ることを見出したので本講演で報告する．