[19a-Z13-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[19a-Z13-6] Si基板上エピタキシャル(K, Na)NbO₃薄膜の圧電特性

〇田中 清高¹、蔡 慶政¹、河田 佳之¹、Kweon Sang-Hyo¹、譚 賡²、神野 伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪府大)

キーワード：非鉛圧電材料、KNN薄膜、圧電特性

非鉛圧電薄膜材料として(K, Na)NbO₃（KNN）が注目されている。我々はこれまでに，Si基板上にKNN薄膜をエピタキシャル成長させ，その圧電特性を評価することに成功した。しかしながら圧電変位定数e_31,fは5C/m²程度に留まり，その原因としてカンチレバー型サンプルにおける面内組成の不均一性などが挙げられる。今回は，スパッタ条件の最適化によって，エピタキシャルKNN薄膜の圧電特性が改善（e_31,f=9.1C/m²）したことについて報告する。