[19a-Z14-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19a-Z14-3] 磁性酸化物GdTiO₃/EuTiO₃ヘテロ構造における界面伝導

〇(M1)高原 規行¹、高橋 圭²、十倉 好紀^1,2、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS)

キーワード：酸化物薄膜、ヘテロ構造

反強磁性半導体EuTiO₃(ETO)と、フェリ磁性Mott絶縁体GdTiO₃(GTO)のヘテロ構造のGTO/ETO界面は電荷不整合界面であり、界面でETOへの電子ドープが期待できる。今回GTO/ETO構造をLSAT(001)基板上に有機金属ガスソース分子線エピタキシー法を用いて作製し、物性を評価した。Gd³⁺とEu²⁺のスピンが作る磁気秩序のバックグラウンドに伝導電子の誘起に成功したので報告する。