[19a-Z14-1~11] 6.3 Oxide electronics

△ [19a-Z14-9] Improvement of metal-insulator transition properties for Fe₃O₄ ultra-thin films on the atomically ordered and flat MgO(001) substrate

〇Ai Osaka¹, Kazuto Yamauchi², Ken Hattori³, Hidekazu Tanaka¹, Azusa Hattori¹ (1.Osaka Univ. ISIR, 2.Osaka Univ., 3.NAIST)

Keywords:strongly correlated electron systems, Fe3O4, Thin film

独自の化学研磨法を用い、平滑性、結晶性ともに優れる完全表面をMgO(001)基板上に作製し、その上に厚さ50 nmのFe₃O₄極薄膜を成長させた。完全表面を作製したMgO基板上のFe₃O₄極薄膜では未処理MgO基板上のFe₃O₄極薄膜に比べ、金属絶縁体相転移に伴う抵抗値の変化率が約6倍に向上した。MgO完全表面上のFe₃O₄薄膜では欠陥密度の低下等の結晶性の向上を確認しており、成長基板の完全表面化が、50 nm以下のFe₃O₄極薄膜における物性向上を導いたと言える。