[19a-Z16-1~7] 9.3 Nanoelectronics

[19a-Z16-2] Au/Pt nanogap array electrodes by self-termination of electroless Au plating

〇Takumi Nishinobo¹, Trong Tue Phan¹, Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Institute of Technology)

Keywords:Single Molecular Transistor, Nanogap array electrode, Electroless gold plating

単分子トランジスタ（以下SMT）は、低消費電力、優れたスケーラビリティ、高速動作といった特徴から次世代トランジスタとして期待されている。
SMTは一つの分子をソースとドレイン電極間に架橋させなければならないため一対のナノギャップ電極では収率の低さからSMTのトランジスタ動作の観察は難しい。本研究では高収率なSMTの作製のため、数百対のギャップ対を導入したナノギャップアレイ電極を作製する技術を確立したので報告する。