[19a-Z16-1~7] 9.3 Nanoelectronics

△ [19a-Z16-4] Comparison of Transport Characteristics of Nanodot Arrays Formed on Two Different SiO₂ Underlayers

〇(B)Ryota Tanizawa¹, Ikuma Amano¹, Takayuki Gyakushi¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:nanodot array, multi-dot single electronic device, dangling bond

ナノドットアレイを用いたマルチドット単電子デバイスは、高温動作のためにドットサイズを小さくする必要がある。本研究では、下地層の表面状態の違いによって電気特性がどのように変化するかを明確にするために、２種類の異なる下地層のデバイスを同一プロセス条件下で同時に作製を行い、それらのデバイスから得られる結果を評価、比較した。得られた結果から、下地層の選択によって抵抗値が2,3桁程度可変であることが分かった。