[19a-Z16-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [19a-Z16-4] 異なるSiO₂下地層上に形成したナノドットアレイの電気特性比較

〇(B)谷澤 涼太¹、天野 郁馬¹、瘧師 貴幸¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北海道大学)

キーワード：ナノドットアレイ、マルチドット単電子デバイス、ダングリングボンド

ナノドットアレイを用いたマルチドット単電子デバイスは、高温動作のためにドットサイズを小さくする必要がある。本研究では、下地層の表面状態の違いによって電気特性がどのように変化するかを明確にするために、２種類の異なる下地層のデバイスを同一プロセス条件下で同時に作製を行い、それらのデバイスから得られる結果を評価、比較した。得られた結果から、下地層の選択によって抵抗値が2,3桁程度可変であることが分かった。