[19a-Z16-1~7] 9.3 Nanoelectronics

[19a-Z16-7] Investigation of Structural Effect of Lateral-type TaOx-ReRAM

〇Yasuhisa Naitoh¹, Shuya Iguchi², Hiroshi Suga², Touru Sumiya¹, Hisashi Shima¹, Hiroyuki Akinaga¹ (1.AIST, 2.CIT)

Keywords:nanogap, ReRAM, electric field concentration effect

ナノギャップ形成技術を利用したReRAM素子、平面型ReRAM構造に対して、斜めからArイオンミリングで加工することによって、向かい合った電極構造に異形構造を導入した。本講演ではこの異形構造より発生する効果について紹介する。