[19a-Z16-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[19a-Z16-7] 平面型TaOx-ReRAMによるナノスケール形状効果の検証

〇内藤 泰久¹、井口 柊也²、菅 洋志²、角谷 透¹、島 久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研、2.千葉工大)

キーワード：ナノギャップ、ReRAM、電界集中効果

ナノギャップ形成技術を利用したReRAM素子、平面型ReRAM構造に対して、斜めからArイオンミリングで加工することによって、向かい合った電極構造に異形構造を導入した。本講演ではこの異形構造より発生する効果について紹介する。