[19a-Z19-1~12] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[19a-Z19-8] (110)面InGaAs量子井戸中の面直内部有効磁場の直接観測

〇中西 晃一¹、齋藤 康人¹、飯笹 大介²、石谷 善博¹、横田 信英³、好田 誠²、森田 健¹ (1.千葉大院工、2.東北大院工、3.東北大通研)

キーワード：スピン軌道相互作用、有効磁場

III-V族半導体量子井戸（QW）ではスピン軌道相互作用（SOI）によって運動量をもつ電子に対し有効磁場がはたらき，通常，(110)面上のQWではDresselhaus SOIによる有効磁場が面直に働く．本研究では，時間分解Kerr回転法による時空間スピンダイナミクス計測を行い，スピン歳差運動周波数の位置依存性を観測した．これにより，面直な有効磁場の存在を確認するだけでなく，Dresselhaus有効磁場の大きさを決定するパラメータβが非常に大きいことが分かった．