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[19a-Z25-2] GaN/ScAlN/GaNヘテロ接合バリアダイオードの電気的特性評価
キーワード:窒化スカンジウムアルミニウム、ヘテロ接合、窒化ガリウム
Scandium Aluminum Nitride (ScAlN)は,高い圧電係数および高いCurie温度を有しており,高温用圧電センサーやRFフィルターの材料として期待されている.また,近年,明瞭な強誘電性を示すことが複数の機関より報告されている.これらの魅力的な物性を持つScAlNをGaNと組み合わせることで,例えば,ScAlN/GaN界面において分極誘起2DEGの増強/スイッチングが期待されるなど,圧電・強誘電性を活かした新機能デバイスが作製できる可能性がある.しかし,ScAlNの物性やGaNとのヘテロ接合の特性についてまだ詳細な研究がされていない.そこで,本研究では,GaN/ScAlN/GaNヘテロ接合の容量特性とキャリア輸送特性を調べたので報告する.