[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-2] GaN/ScAlN/GaNヘテロ接合バリアダイオードの電気的特性評価

〇前田 拓也¹、Casamento Joseph¹、野本 一貴¹、Xing Huili Grace¹、Jena Debdeep¹ (1.Cornell大学)

キーワード：窒化スカンジウムアルミニウム、ヘテロ接合、窒化ガリウム

Scandium Aluminum Nitride (ScAlN)は，高い圧電係数および高いCurie温度を有しており，高温用圧電センサーやRFフィルターの材料として期待されている．また，近年，明瞭な強誘電性を示すことが複数の機関より報告されている．これらの魅力的な物性を持つScAlNをGaNと組み合わせることで，例えば，ScAlN/GaN界面において分極誘起2DEGの増強/スイッチングが期待されるなど，圧電・強誘電性を活かした新機能デバイスが作製できる可能性がある．しかし，ScAlNの物性やGaNとのヘテロ接合の特性についてまだ詳細な研究がされていない．そこで，本研究では，GaN/ScAlN/GaNヘテロ接合の容量特性とキャリア輸送特性を調べたので報告する．