[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-3] AlGaN/GaN ホール効果測定素子の電流-電圧特性の基板依存性

〇田中 大貴¹、分島 彰男³、安藤 裕二¹、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、HEMT