[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-6] Xバンド帯におけるGaN IMPATTダイオードの動作実証

〇川崎 晟也¹、安藤 悠人¹、出来 真斗^1,2、渡邉 浩崇³、田中 敦之^3,4、新田 州吾³、本田 善央³、新井 学³、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大VBL、3.名大未来研、4.物材機構、5.赤﨑記念研究センター)

キーワード：窒化ガリウム、インパットダイオード、アバランシェ降伏

GaN IMPATT ダイオードはその高い絶縁破壊電界と高い電子飽和速度から、THz領域までに及ぶ，高出力高周波発振器として期待されている。しかし、これまでその実験的な報告はほとんどなかった。これまで我々は、理想的なアバランシェ降伏を示すGaN縦型p-nダイオードを報告してきた。そこで本研究ではXバンド帯におけるGaN p-nダイオードのIMPATT動作について検討を行った。その結果9.52 GHzでのパルス発振が得られ、その出力は最大で14.45 mWであった。