[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-Z27-3] Relationship between crystal orientation rotated domain and v-pit formation during GaN growth on Si substrates

〇Kazuya Okamoto¹, Momoko Deura¹, Takashi Yoda^2,4, Hideshi Takahashi², Kiyotaka Miyano², Masayuki Tsukui², Takeshi Momose¹, Masakazu Sugiyama^1,3, Yukihiro Shimogaki¹ (1.School Eng.,The Univ. Tokyo, 2.NuFlare Technology, 3.RCAST,The Univ. Tokyo, 4.FIRST, Tokyo Tech.)

Keywords:pit, Si substrate, GaN

Si基板上GaN成長では，ある製膜条件下でAlNバッファ層内に結晶方位が面内で30度回転した回転ドメインがあり，一部がひずみ超格子層に引き継がれる．この方位回転領域では低Ga取込効率のため製膜速度が低下し，正常成長領域で被覆・終端されピットを形成することを見出した．方位回転領域は正常成長領域よりSiとの格子定数差が小さく，正常成長領域ではこの緩和のためにGaが取り込まれやすい可能性がある．