[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-Z27-3] Si基板上GaN成長における結晶方位回転成長領域とピット生成の関係

〇岡本 和也¹、出浦 桃子¹、依田 孝^2,4、高橋 英志²、宮野 清孝²、津久井 雅之²、百瀬 健¹、杉山 正和^1,3、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.東大先端研、4.東工大未来研)

キーワード：ピット、Si基板、GaN

Si基板上GaN成長では，ある製膜条件下でAlNバッファ層内に結晶方位が面内で30度回転した回転ドメインがあり，一部がひずみ超格子層に引き継がれる．この方位回転領域では低Ga取込効率のため製膜速度が低下し，正常成長領域で被覆・終端されピットを形成することを見出した．方位回転領域は正常成長領域よりSiとの格子定数差が小さく，正常成長領域ではこの緩和のためにGaが取り込まれやすい可能性がある．