[19a-Z29-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19a-Z29-1] Characteristic of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (I)
-Reduction of SiO₂/Si Interface State using Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Wafers-

〇Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Akihiro Suzuki¹, Koji Kobayashi¹, Satoshi Shigematsu¹, Ryo Hirose¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:Passivation, Hydrogen

CMOSイメージセンサの高感度化のためにSiO₂/Si界面準位のパッシベーションは重要な技術課題である。炭化水素分子イオン注入ウェーハはCMOSイメージセンサの高性能化に寄与する高いゲッタリング能力だけでなく、注入領域での水素脱離効果というユニークな特徴を有しているが、界面準位密度低減を直接観察した事例は報告されていない。本報告では注入領域から外方拡散する水素によるSiO₂/Si界面準位のパッシベーション効果を明らかとしたので報告する。