[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-Z29-1] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（I）
-炭化水素分子イオン注入ウェーハによるSiO₂/Si界面準位欠陥の低減-

〇奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：パッシベーション、水素

CMOSイメージセンサの高感度化のためにSiO₂/Si界面準位のパッシベーションは重要な技術課題である。炭化水素分子イオン注入ウェーハはCMOSイメージセンサの高性能化に寄与する高いゲッタリング能力だけでなく、注入領域での水素脱離効果というユニークな特徴を有しているが、界面準位密度低減を直接観察した事例は報告されていない。本報告では注入領域から外方拡散する水素によるSiO₂/Si界面準位のパッシベーション効果を明らかとしたので報告する。