[19a-Z29-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [19a-Z29-2] Characteristics of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-stacked CMOS Image Sensors (II)
– In Situ TEM Observation of Thermal Dissolution Behavior of CH₄N Multielement-Molecular-Ion-Implantation-Induced Defects –

〇Akihiro Suzuki¹, Takeshi Kadono¹, Ryo Hirose¹, Koji Kobayashi¹, Ayumi Masada¹, Ryosuke Okuyama¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:CMOS image sensor, molecular ion, In-situ TEM observation

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々は、水素及び炭素、窒素から成るCH₄N分子イオンを注入したエピタキシャルSiウェーハを開発している。CH₄Nイオン注入Siウェーハは、2種類のイオン注入誘起欠陥（C-Si複合体、End-of-Range欠陥）を有し、それらが高い重金属ゲッタリング能力をもつ。今回は、CH₄Nイオン注入SiウェーハにおけるEnd-of-Range欠陥の熱的分解挙動を加熱TEMその場観察法によって明らかにした結果について報告する。