[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [19a-Z29-2] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（II）
–CH₄Nイオン注入誘起欠陥の熱的分解挙動の加熱TEMその場観察–

〇鈴木 陽洋¹、門野 武¹、廣瀬 諒¹、小林 弘治¹、柾田 亜由美¹、奥山 亮輔¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：CMOSイメージセンサ、分子イオン、加熱TEMその場観察

CMOSイメージセンサの性能向上のため、我々は、水素及び炭素、窒素から成るCH₄N分子イオンを注入したエピタキシャルSiウェーハを開発している。CH₄Nイオン注入Siウェーハは、2種類のイオン注入誘起欠陥（C-Si複合体、End-of-Range欠陥）を有し、それらが高い重金属ゲッタリング能力をもつ。今回は、CH₄Nイオン注入SiウェーハにおけるEnd-of-Range欠陥の熱的分解挙動を加熱TEMその場観察法によって明らかにした結果について報告する。