[19a-Z29-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [19a-Z29-3] Characteristic of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (Ⅲ)
-Gettering Capability in Hybrid Molecular Ion Implanted Range-

〇Ryo Hirose¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Ryosuke Okuyama¹, Koji Kobayashi¹, Akihiro Suzuki¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:gettering, ion implantation, CMOS image sensor

更なる高感度化が要求されるCMOSイメージセンサのための新たな近接ゲッタリング技術として、分子イオン注入技術の開発に取り組んでいる。本報告では、炭化水素分子イオン注入による近接ゲッタリング技術を更に発展させることを目的として、新たな分子イオンビームを形成し、イオン注入を行ったエピタキシャルウェーハのゲッタリング特性調査を行った結果を報告する．