[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [19a-Z29-3] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（Ⅲ）
-シリコン系分子イオン注入のゲッタリング特性-

〇廣瀬 諒¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、奥山 亮輔¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：ゲッタリング、イオン注入、CMOSイメージセンサ

更なる高感度化が要求されるCMOSイメージセンサのための新たな近接ゲッタリング技術として、分子イオン注入技術の開発に取り組んでいる。本報告では、炭化水素分子イオン注入による近接ゲッタリング技術を更に発展させることを目的として、新たな分子イオンビームを形成し、イオン注入を行ったエピタキシャルウェーハのゲッタリング特性調査を行った結果を報告する．