[19a-Z29-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19a-Z29-4] Characteristic of Molecular Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers for 3D-Stacked CMOS Image Sensors (IV)
-Dark Current Reduction Mechanism of Molecular Ion Implanted Double Epitaxial Wafers Using Dark Current Spectroscopy-

〇Ayumi Masada¹, Takeshi Kadono¹, Ryosuke Okuyama¹, Ryo Hirose¹, Koji Kobayashi¹, Akihiro Suzuki¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:CMOS image sensor, white spot defect, gettering

3次元積層型CMOSイメージセンサの金属不純物汚染に対する技術課題に対応するために、我々は、エピタキシャル層へ分子イオン注入を行ったエピタキシャルウェーハを開発している。今回は、エピタキシャル層へ分子イオン注入を行ったエピタキシャルウェーハの、デバイスプロセスにおいて混入する金属汚染に対するゲッタリング特性を、CMOSイメージセンサのデバイス特性を指標として調査したので報告する。