[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-Z29-4] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（IV）
-Dark current spectroscopy法によるエピタキシャル層注入ウェーハの白キズ欠陥の抑制メカニズム解析-

〇柾田 亜由美¹、門野 武¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、小林 弘治¹、鈴木 陽洋¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：CMOSイメージセンサ、白キズ欠陥、ゲッタリング

3次元積層型CMOSイメージセンサの金属不純物汚染に対する技術課題に対応するために、我々は、エピタキシャル層へ分子イオン注入を行ったエピタキシャルウェーハを開発している。今回は、エピタキシャル層へ分子イオン注入を行ったエピタキシャルウェーハの、デバイスプロセスにおいて混入する金属汚染に対するゲッタリング特性を、CMOSイメージセンサのデバイス特性を指標として調査したので報告する。