[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-Z29-7] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(5) 正方形複合体NN, CiOi, NO, O2iの赤外吸収

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪府大研究推進)

キーワード：シリコン結晶、不純物、赤外吸収

シリコン中の窒素は主にSi-N_i-Si-N_iリングを形成する。電子線誘起のC_iO_i, はパワーデバイスのライフタイム制御に用いられ、NOはシャローサーマルドナーの核であり、O_2i(OO)はサーマルドナーの起源であるが同じリングを置き換えたものである。４者は熱処理によりOが付着し、すべてが赤外吸収活性である。今回はCiO_2iの1020 cm^-1吸収の熱処理挙動を取り上げる。