[19a-Z31-1~11] 17.3 Layered materials

[19a-Z31-5] Study of Contact Fabrication Process for Thin-film WTe₂ Devices

〇Masayuki Hosoda^1,2, Russell S. Deacon¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Shota Okazaki³, Takao Sasagawa³, Takashi Taniguchi⁴, Kenji Watanabe⁴, Kenichi Kawaguchi², Yoshiyasu Doi², Shintaro Sato², Koji Ishibashi¹ (1.RIKEN, 2.Fujitsu Labs., 3.Tokyo Tech, 4.NIMS)

Keywords:Tungsten ditelluride, 2d materials, Transition metal dichalcogenide

遷移金属ダイカルコゲナイドWTe₂は、トポロジカルな2次元材料として注目されているが、現在までデバイスの試作報告例は数が限られている。今回、WTe₂薄膜に対して異なる電極形成プロセスを適用し、それらプロセスと電気特性の関係について検討を行ったので報告する。