[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19a-Z33-10] パルスレーザ堆積法による窒素ドープGa₂(O_1−xS_x)₃薄膜の成長

〇斉藤 拓海¹、井原 佑太¹、相馬 拓人¹、加渡 幹尚²、大友 明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.トヨタ自動車、3.元素戦略)

キーワード：酸化ガリウム、パルスレーザ堆積法、硫黄置換

有望なパワーデバイス材料であるGa₂O₃について，これまでに我々は一酸化窒素を用いたPLDにより酸素サイトを窒素で置換した高結晶性薄膜の成長に成功している．本研究では窒素をアクセプターとして活性化させるために酸素サイトを硫黄でも置換した薄膜の成長を試みた．GaS固体原料とNOガスまたはNOプラズマを用いたPLDによって得られた薄膜について結晶性と光学特性の評価および組成分析を行った結果を報告する．