[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19a-Z33-11] C面サファイア基板上α-Ga₂O₃の成長初期段階における成長メカニズム

〇(M1)高根 倫史¹、金子 健太郎¹、太田 優一²、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.都産技研)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD、エピタキシャル成長

α-Ga₂O₃は次世代のパワーデバイス材料として昨今注目されている。しかし、サファイア基板とa軸方向に4.8%程度の大きな格子ミスマッチが存在し、さらに1000℃・約4.4万気圧の条件下で合成されるα-Ga2O3が、ミストCVD法を用いることで500℃前後の常圧条件下で成長する理由は未だに解明されていない。本研究では、α-Ga₂O₃の成長初期段階に注目し、成長メカニズムの解明を試みた。