[19a-Z34-1~11] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

△ [19a-Z34-3] Gate-controlled modulation of synaptic properties in 4-terminal planar TiO_2-x memristive devices

〇Kenta Adachi¹, Yusuke Hayashi¹, Tetsuya Tohei¹, Akira Sakai¹ (1.Osaka Univ)

Keywords:memristor, oxide semicomuctor, TiO2

我々は還元TiO2-x単結晶およびホモエピタキシャル薄膜を基材として4端子平面型メモリスタ素子を作製し、ゲート変調が可能なヘテロシナプス可塑性をはじめとする複数のシナプス特性の実装を報告してきた。今回は、同素子において、長期増強（LTP）・長期抑制（LTD）特性の実装と、ゲート制御によるシナプス特性の鋭敏化等の変調を試みたので報告する