[19a-Z34-1~11] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [19a-Z34-3] 4端子平面型TiO_2-xメモリスタ素子におけるゲート制御に基づくシナプス特性の変調

〇安達 健太¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.大阪大)

キーワード：メモリスタ、酸化物半導体、TiO2

我々は還元TiO2-x単結晶およびホモエピタキシャル薄膜を基材として4端子平面型メモリスタ素子を作製し、ゲート変調が可能なヘテロシナプス可塑性をはじめとする複数のシナプス特性の実装を報告してきた。今回は、同素子において、長期増強（LTP）・長期抑制（LTD）特性の実装と、ゲート制御によるシナプス特性の鋭敏化等の変調を試みたので報告する