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[19p-P01-7] 液体前駆体を用いてMBE成長したWS2薄膜の硫黄アニールによる膜質改善
キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン、分子線エピタキシー
層状6族TMDCの多くはバンドギャップを持つため、半導体素子への応用が注目されている。TMDC薄膜の合成法には様々な方法があるが、低温で、表面構造の直接観察をすることは困難である。本研究では液体前駆体を用い、二硫化タングステン(WS2)薄膜のMBE成長を行った。成長した膜に気化させた硫黄前駆体を更に供給することで、膜質が改善できることが確認できた。