[19p-P02-1~22] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[19p-P02-22] Temperature dependence of Contact Resistance of Ni/MoS2 Junction

〇(B)Misato Inoue¹, Aya Hamamoto¹, Ryosuke Ishiguro¹ (1.Japan Women Univ.)

Keywords:MoS2, Contact Resistance, FET

Ni/MoS₂接合の接触抵抗のイオンゲート依存性と、室温から5Kまでの温度変化を測定した。特にチャネルの伝導パスが表面に制限された低温領域の測定からはNi/MoS₂接合でもTi/MoS₂接合の場合と同様に数meVという比較的小さなエネルギー障壁が存在することが分かった。当日は、ゲート依存性や室温近傍の測定を含めNi/MoS₂接合の電子構造について議論する。