[19p-P02-1~22] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[19p-P02-3] Growth temperature dependence of SWCNT growth on SiO₂/Si substrates by ACCVD using Ir catalyst

〇(M1)Daiki Yamamoto¹, Sharma Kamal¹, Takahiro Saida¹, Shigeya Narituka¹, Takahiro Maruyama¹ (1.Meijou Univ.)

Keywords:Carbon nanotube, CVD

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は一次元ナノ材料であり、将来のナノエレクトロニクス材料として様々な可能性を秘めている。我々のグループではこれまで、Ir触媒を用いたアルコールCVD法によるSWCNT成長を行い、垂直配向した細径SWCNTの成長に成功している。しかし、Ir触媒を用いたSWCNT成長は研究事例が少なく、解明されていない部分が多い。今回は成長温度に着目し、SWCNTの構造や生成量に成長温度が与える影響について調べた。