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[19p-P02-7] Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on crystal quality of transfer-free graphene II
Keywords:catalyst metal agglomeration, Ni layer, post deposition annealing
我々はこれまでに金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリー多層グラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告した。前回までの発表では金属凝集法においてもNi膜の結晶子サイズが大きい場合に、形成されたグラフェン膜の欠陥が減少しFETの特性が向上したことを報告した。本研究では、Ni膜成膜後のアニール(PDA)処理の際の温度とグラフェン膜の結晶性との関係を評価したので、その結果について報告する。