[19p-P02-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[19p-P02-7] 転写フリーグラフェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果II

〇高橋 明空¹、芝 南々子¹、久保 俊晴¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：金属凝集法、Ni膜、成膜後アニール

我々はこれまでに金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリー多層グラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告した。前回までの発表では金属凝集法においてもNi膜の結晶子サイズが大きい場合に、形成されたグラフェン膜の欠陥が減少しFETの特性が向上したことを報告した。本研究では、Ni膜成膜後のアニール(PDA)処理の際の温度とグラフェン膜の結晶性との関係を評価したので、その結果について報告する。