[19p-P02-1~22] 17 ナノカーボン(ポスター)

[19p-P02-8] アルコールCVD法を用いたGaN上へのグラフェン直接成長

〇(M1)薮田 翔平¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大　理工)

キーワード：グラフェン、窒化物半導体、結晶成長

GaNとグラフェンを接合したデバイスの研究が進められているが、転写時の不純物が問題となっている。そこで、本研究では、アルコールCVD法を用いてGaN基板上に直接グラフェン成長を試みた。使用した基板はGaN(0001)テンプレート（GaN/sapphire）とGaNテンプレートを銅箔で包んだもの2種類使用した。ラマン分光装置によりグラフェン構造の成長が確認できた。GaNテンプレートのみと比較し、銅箔で包んだ基板が相対的にDモードを抑えることができた。