[19p-P03-1~3] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[19p-P03-3] Evaluation of Electric Characteristics and Film Thickness for GaInSb HEMTs with Strained-Layers Superlattices

〇Munemasa Kunisawa¹, Takuya Hayashi¹, Mizuho Hiraoka¹, Goki Ogane¹, Issei Watanabe^2,1, Yoshimi Yamashita², Shinsuke Hara², Ryuto Machida², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.NICT)

Keywords:High Electron Mobility Transistor, Molecular Beam Epitaxy, Semiconductor

歪超格子バッファを用いたGaInSb HEMTの電気的特性と膜厚の評価を行った。我々は以前より、ある程度高い電子移動度を維持しつつ電子濃度を高くすることが可能なGaInSbチャネルHEMTの研究開発を行ってきた。本研究では、バッファ層内で生じている格子不整合緩和を目的とし、歪超格子（SLS）を設置することによる電気的特性への影響を検討した。併せて、SLSを用いた膜厚評価についても調べた。