[19p-P05-1~1] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-P05-1] 光伝導アンテナ応用へ向けた多重積層InAs/GaAs量子ドットの電気特性評価

〇南 康夫¹、新免 歩¹、北田 貴弘¹、原田 幸弘²、海津 利行²、小島 磨²、喜多 隆²、和田 修³ (1.徳島大院理工、2.神戸大院工、3.神戸大)

キーワード：InAs/GaAs 量子ドット、ホール測定、光伝導アンテナ

テラヘルツ波の通信利用を目的として、長波長（1.3 µm、1.5 µm）の光通信帯で動作するテラヘルツ波発生・検出用の光伝導アンテナ（PCA）の研究・開発が行われている。本研究では、長波長の光通信帯でのPCA開発を目指し、GaAs層中に埋め込んだ多層InAs量子ドット構造を作製し、光照射下でのホール測定を行い電気特性を評価した。