[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-1] n+GaN 基板上n-GaN 層の光電気化学(PEC)エッチング時のカソード電極

福原 昇¹、〇堀切 文正¹、渡久地 政周²、三輪 和希²、大神 洸貴²、佐藤 威友² (1.サイオクス、2.北海道大学)

キーワード：GaN、光電気化学、エッチング

GaN は、光電気化学(photoelectrochemical: PEC)エッチングにより、ダメージレスかつ平坦にエッチングする事ができる。これまで我々は、電解液にペルオキソ二硫酸塩を酸化剤として添加する事で、外部接続の電圧源を必要としないシンプルなコンタクトレスPEC エッチングを開発し、HEMTの実用的なリセス加工への応用可能性を示した。HEMTリセス加工においては、ペルオキシ二硫酸イオンが電子をGaN から電解液に移送するためにTi 蒸着膜パターンを形成しカソード電極として用いている。しかし、Ti 蒸着膜を形成する必要がある事から、デバイス加工工程が煩雑になる問題があった。今回、n 型GaN 基板上のn-GaN エピ層を上記コンタクトレスPEC エッチングする際、裏面のGaN がカソード電極となっており、かつ、カソード電極表面に励起光は必要でない事がわかったので報告する。