[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-4] 順電流注入によるp-GaN 層中のホールトラップの生成

〇吉田 光¹、竹内 和歌奈¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工業大学、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：p-GaN、Mg-doped GaN

順電流注入により、MOVPE p-GaNに誘起されるトラップHX(Ev+0.71 eV)の生成温度について検討した。90 K~300 Kの各温度で順電流を10 ms間注入し、DLTS測定自体は300 Kで行った。また、360 Kで40分間ゼロバイアスを印加し、トラップHXを消滅した後に各温度で順電流注入を行った。各温度でのトラップHX生成結果からトラップHXのピーク値は、順電流注入温度の上昇とともに増加し、200 K以上で飽和することがわかった。