[19p-P06-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-P06-9] AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたモノリシック集積回路の検討

〇川内 智瑛¹、吹中 茉生¹、真下 智昭¹、岡田 浩¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：窒化物半導体、集積回路

窒化物半導体モノリシック集積回路の実現は、従来技術では困難な小型システムが期待できる。我々は、AlGaN/GaNヘテロ構造のモノリシック集積回路を検討するために、トランジスタと負荷抵抗で構成したインバータ回路を設計・試作し、その動作を確認した。