[19p-Z02-1~10] CS.7 Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6

△ [19p-Z02-4] SiC Quantum-Dot Formation in Oxide Film using Hot Double Si⁺/C⁺ Ion Implantation

〇Koki Murakawa¹, Rikito Kanazawa¹, Takashi Aoki¹, Toshiyuki Sameshima², Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech.)

Keywords:quantum-dot, SiC, hot ion implantation

PL発光の量子効率の向上を目指して,Si⁺のドーズ量を変えSiC量子ドットの形成について検討した．D_C 一定においても，PL発光強度及びピークエネルギーのSi⁺ドーズ量依存性を確認し,PL強度向上の最適なD_Si/D_Cが判明した.本研究はSi系光デバイスに応用が期待できる．