[19p-Z02-1~10] CS.7 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

△ [19p-Z02-4] Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法による
SiC量子ドット形成：Si⁺ドーズ量依存性

〇村川 洸紀¹、金澤 力斗¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：量子ドット、SiC、ホットイオン注入

PL発光の量子効率の向上を目指して,Si⁺のドーズ量を変えSiC量子ドットの形成について検討した．D_C 一定においても，PL発光強度及びピークエネルギーのSi⁺ドーズ量依存性を確認し,PL強度向上の最適なD_Si/D_Cが判明した.本研究はSi系光デバイスに応用が期待できる．