[19p-Z02-1~10] CS.7 Code-sharing Session of 8.3 & 9.2 & 13.6

[19p-Z02-5] Si Quantum-Dot Formation in Oxide Film using Hot Si+ Ion Implantation

Kazuma Yoshimizu¹, 〇Koki Murakawa¹, Takashi Aoki¹, Toshiyuki Sameshima², Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech.)

Keywords:quantum-dot, Si, hot ion implantation

赤外域でのPLスペクトル発光を目指して，バンドギャップの小さい Si-QDを Si酸化膜中へのホットSi⁺イオン注入法によって形成することを検討した.
その結果,Si-QDの形成が確認され,近赤外域PL発光を達成した.本研究は近赤外におけるSi系光デバイスに応用が期待できる．