[19p-Z02-1~10] CS.7 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[19p-Z02-5] ホットSi⁺イオン注入法を用いた
酸化膜中のSi量子ドットの形成

吉水 一真¹、〇村川 洸紀¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：量子ドット、Si、ホットイオン注入

赤外域でのPLスペクトル発光を目指して，バンドギャップの小さい Si-QDを Si酸化膜中へのホットSi⁺イオン注入法によって形成することを検討した.
その結果,Si-QDの形成が確認され,近赤外域PL発光を達成した.本研究は近赤外におけるSi系光デバイスに応用が期待できる．