[19p-Z02-1~10] CS.7 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[19p-Z02-6] プラズマスパッタリング法を用いたGeSnナノ構造膜の堆積とLiイオン電池への応用

〇(M1)永井 健太¹、髙田 瑛叶¹、林 純希¹、羽生 侑真¹、内田 儀一郎^1,2 (1.名城大理工、2.名城大エネセンター)

キーワード：プラズマ、リチウムイオン電池、ナノ粒子

本研究では高容量と長寿命の両特性を実現するために、高容量Ge半導体に高い電気導電率を有するSn金属を添加した負極材料をRFプラズマスパッタリング法を用いて作製した。スパッタリングターゲットのGe/Sn比率とプラズマ投入電力を実験パラメータとして薄膜を作製し、その膜物性とLiイオン電池容量を評価した。講演では薄膜のGe/Sn比率、ナノ構造形態とLiイオン電池特性の相関について議論する予定である。