[19p-Z02-1~10] CS.7 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[19p-Z02-8] 斜入射スパッタリング法により作製したWO₃薄膜のEC特性

堀越 悠爾¹、中山 佳之¹、〇井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大工、2.関東学院大)

キーワード：エレクトロクロミック、斜入射堆積法、酸化タングステン

斜入射堆積(Glancing angle deposition : GLAD)を適用したスパッタリング法を用いて微細な空隙を有するWO₃膜を作製し，空隙導入がEC特性に及ぼす影響を調査した．その結果，GLAD膜は引張応力による自己収縮に起因すると考えられる地割れ構造が形成された．可視光領域において非常に優れたエレクトロクロミック特性を示した．