[19p-Z10-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

[19p-Z10-13] CMOS 互換プロセスで作製したシリコンラマンレーザの低閾値化

〇(B)太田 雄士¹、岡野 誠²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.産総研)

キーワード：シリコンラマンレーザ

従来，高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザは電子線描画法（EB）を用いて作製していた．近年，我々はフォトリソグラフィとCMOS互換プロセスを用いた作製を実証した．しかし，その作製歩留まりは低く，閾値も従来研究より数倍高かった．性能低下の主因は，共振モードのQ値の低下である．今回，Q値を改善する熱処理に改善を加えて，CMOS互換プロセスを用いたシリコンラマンレーザの低閾値化と作製歩留まり向上を達成したので報告する．