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△ [19p-Z13-1] エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価
キーワード:強誘電体、窒化物、薄膜
我々は、一軸配向した(Al1-xScx)N膜の製膜条件による強誘電性の変化を報告した。しかしながら、一軸配向膜と比較して、膜厚方向の結晶均質性が高く、基本的な評価に有利であるエピタキシャル膜の強誘電性に関する報告例はこれまでにない。本研究では、スパッタリング法によりAl2O3基板上にエピタキシャル成長した(Al1-xScx)N膜を作製し、強誘電性の評価を行ったので報告する。